7月26日，随着集成电路过程朝着7 nm以下的节点发展，EUV的光刻波长为13.5 nm的波长将成为实现高级芯片制造的中央技术。然而，EUV光源的特征，例如反射和低亮度的巨大丧失，在吸收效率，反应机制和缺陷控制机制方面对光子剂提出了重要的挑战。 Tsinghua大学宣布，Xu Huaping教授在学校化学系的团队已在极端紫外线（EUV）材料方面取得了重大进步。 ▲聚氧烷：您的房屋发现相关结果已在7月16日发表在“科学进步”中的理想EUV光词材料。这项研究为光子提供了一条设计途径，该途径为集成了超吸收性元件TE，Mecamain链的其余链和材料的均匀性提供了一条设计途径。 Tsinghua said that current EUV photorers are mainly based关于化学扩增机制或金属意识以提高灵敏度，但通常面临诸如复杂结构，异质组件的分布，反应的简单传播以及简单地引入随机缺陷等问题。如何打破这些瓶颈并建立理想的光静脉系统是当前EUV光刻材料领域的核心挑战。在学术界，理想的EUV光仪必须同时具有四个重要因素，在学术界，1）EUV的高吸收能力以降低暴露剂量并提高敏感性。 2）高效率的能源使用效率，以确保光的能量有效地变成光子材料材料小概念的溶解度的变化。 3）分子尺度的均匀性，以避免由组件的随机分布和扩散引起的缺陷噪声。 4）尽可能少的施工单元（LER）消除基本尺寸O的影响f分辨率的特征并降低线边缘的粗糙度。长期以来，很少有材料系统能够同时符合这四个标准。目前，Xu Huapping研究团队教授开发了一个新的EUV光子器，它是根据该团队在最初几天发明的Politloxans开发的，这符合上述理想的光子仪。在这项研究中，直接将小组 - 高吸收元件EUV滴滴（TE）直接引入聚合物脊柱中，通过O. tellurium链接具有最高的EUV吸收部分，除了Xenón（Xe），Radon（Radon），Radon（RN）的惰性气体元素外，以及euv的元素（euv and）的元素（euv ever）的元素（及其较高的元素）都高于吸收性元素，并且远高于吸收性元素。常规光学产品，例如Zn，ZR，HF和SN。同时，TE-O链接的解离可能会导致主链在吸收EUV后立即断裂，从而诱导溶解度的变化Y，从而实现了高灵敏度的积极发展。该光子电阻仅由单个成分的小分子的聚合组成，提供了一种清晰且可行的途径来构建下一代EUV Photorestros，从而在简约设计下实现了理想的光植物特性的整合。 。